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氮化铟

网络indium nitride;inn

氮化铟

氮化铟

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半导体氮化铟（InN）的晶格振动

Lattice vibrational properties of semiconductor Inn
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ECR-PEMOCVD适合低温外延生长氮化铟，氮化镓，氮化铝等薄膜。

ECR-PEMOCVD was utilized specially for low-temperature growth of epitaxy films of InN GaN , and AlN .

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