通过比较有、无屏蔽材料封装CMOS器件在电子辐照下电参数的变化，分析了采用抗辐射屏蔽材料封装的CMOS器件受电子辐照的损伤机理。
This paper compares the change of CMOS parameter whether shielded packages or not , and discuss the damage mechanism of CMOS shielded packages .
抗辐射材料